原创《最新无线充电技术满足消费市场需求》
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问：戴尔刚刚推出7内部采用GaN的Latitude 7285笔记本.FPC的GaN器件在笔记本电脑有什么样的功能,有助于吸引消费者,并有助于你们业务的增长,
NC, EPC eGaN FET解决方案利用高度共振无线电源拓扑结构,实现高效率、高性能,以及其他无线充电拓扑结构沒有的空间自由度.这使得终端用户能够随处充电而不会像其他技术必需对齐发射和接收器的充电问题.
问：在无线充电应用中,GaN技术如何比竞争对手产品更好地帮助客户,
NC：eGaN FET以较高的开关速度工作,所以转换器可以比硅MOET在更高的频率下工作,消耗更少的能源.因此,可以为最终用户实现更高的无线充电性能,更高效率和更快速的电池充电.
问：除7无线充电应用,GaN在节能方面有洩有好处’
NC：eGaN FET技术的整体优势是通过开关速度高使性能更优越,加上其固有的更低开关损耗,因此可以比传统MOET技术更节约能源.另外,eGaN FET的较低损耗产生优越的散热性能（以更低温运行而能够节省能源）.
问：未来EPC的GaN能否推动无线充电的裴展,可传送更高的功率／更大的电流吗,
NC: EPC正在开发多项技术来实现多级无线功率传输,如更高压的第五代产品、创新解决方案,并与其他公司合作改善回波系统和控制.
问：无线充电可实现最高的功率/电流是多大7
NC:目前我们可以实现传送高达110 W功率的无线电源系统.
问：与碳化硅(SiC)相比,GaN是否更好,S/C和Ga～的主要区别是什么’
NC:在商业方面,一个主要的差异是碳化硅器件的成本远远高于氮化镓器件的成本.我们的解决方案所使用的是硅衬底,而不是像其它GaN解决方案使用了SiC衬底.因此,EPC的解决方案是最具成本效益的.
此外,碳化硅一般是针对650V至3.5KV的应用.这是用于更高功率转换常见的电压范围.EPC的eGaN FET的目标是不超过500 V的应用,这是一个比650 V以上的市场更广阔的市场.
最后,在未来10年里,氮化镓塌效应晶体管将取代现有MOET整体市场的大部分市场,而SiC将满足部分更高电压的特定市场.
无线充电论文参考资料：
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